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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -220V; -260mA; Idm: -0,9A; 1,6W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-TP5322N8-G
Fabricant:
     Microchip Technology
N°. du fabricant:
     TP5322N8-G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: SMD
Boîtier: SOT89-3
Tension drain-source: -220V
Courant du drain: -0,26A
Résistance en état de conduction: 12Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1,6W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -0,9A
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