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Transistor: N-JFET; GaN; unipolaire; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-TSG65N068CE-RVG
Fabricant:
     Taiwan Semiconductor
N°. du fabricant:
     TSG65N068CE RVG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor FET de jonction
Transistors FET de jonction
FET de jonction
Transistor CMS
Fabricant: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: PDFN88
Tension drain-source: 650V
Courant du drain: 30A
Résistance en état de conduction: 68mΩ
Type de transistor: N-JFET
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 6,7nC
La technologie: GaN
Genre de transistor: HEMT
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -10...7V
Courant du drain dans l'impulsion: 60A
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1 Pièce
€ 33,81*
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à partir de 5 Pièces
€ 27,80*
€ 33,36
par Pièce
à partir de 10 Pièces
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€ 32,90
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à partir de 20 Pièces
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à partir de 100 Pièces
€ 21,33*
€ 25,60
par Pièce
à partir de 500 Pièces
€ 20,58*
€ 24,70
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à partir de 3000 Pièces
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€ 20,86
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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