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Transistor: N-JFET; GaN; unipolaire; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-TSG65N110CE-RVG
Fabricant:
     Taiwan Semiconductor
N°. du fabricant:
     TSG65N110CE RVG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor FET de jonction
Transistors FET de jonction
FET de jonction
Transistor CMS
Fabricant: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: PDFN88
Tension drain-source: 650V
Courant du drain: 18A
Résistance en état de conduction: 0,11Ω
Type de transistor: N-JFET
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 4nC
La technologie: GaN
Genre de transistor: HEMT
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -10...7V
Courant du drain dans l'impulsion: 35A
Aperçu des conditions1
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Prix HT
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HT
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Unité
1 Pièce
€ 19,27*
€ 23,12
par Pièce
à partir de 2 Pièces
€ 19,07*
€ 22,88
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 16,01*
€ 19,21
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 15,71*
€ 18,85
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 15,39*
€ 18,47
par Pièce
à partir de 25 Pièces
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€ 16,39
par Pièce
à partir de 100 Pièces
€ 12,24*
€ 14,69
par Pièce
à partir de 500 Pièces
€ 11,82*
€ 14,18
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à partir de 3000 Pièces
€ 9,88*
€ 11,86
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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