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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 120V; 66A; Idm: 420A; 113,6W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-WMB049N12HG2-CYG
Fabricant:
     WAYON
N°. du fabricant:
     WMB049N12HG2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: WAYON
Montage: SMD
Boîtier: PDFN5060-8
Tension drain-source: 120V
Courant du drain: 66A
Résistance en état de conduction: 5mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 113,6W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 67nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 420A
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