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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 128A; Idm: 512A; 127,5W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-WMB128N10T2-CYG
Fabricant:
     WAYON
N°. du fabricant:
     WMB128N10T2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: WAYON
Montage: SMD
Boîtier: PDFN5060-8
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 128A
Résistance en état de conduction: 4,2mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 127,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 72nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 512A
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