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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolaire; 650V; 8,6A; Idm: 43A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-WMO18N65EM-CYG
Fabricant:
     WAYON
N°. du fabricant:
     WMO18N65EM
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: WAYON
Montage: SMD
Boîtier: TO252
Tension drain-source: 650V
Courant du drain: 8,6A
Résistance en état de conduction: 0,28Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 125W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 26nC
La technologie: WMOS™ EM
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 43A
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