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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolaire; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-WMO9N50D1B-CYG
Fabricant:
     WAYON
N°. du fabricant:
     WMO9N50D1B
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: WAYON
Montage: SMD
Boîtier: TO252
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 9A
Résistance en état de conduction: 0,68Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 104W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 72nC
La technologie: WMOS™ D1
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 36A
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