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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolaire; 60V; 56A


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-YJD80G06A-YAN
Fabricant:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N°. du fabricant:
     YJD80G06A
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Boîtier: TO252
Tension drain-source: 60V
Courant du drain: 56A
Résistance en état de conduction: 11mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 42,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 31nC
La technologie: SPLIT GATE TRENCH
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 240A
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