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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolaire; -15V; -1,6A


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Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-YJL2301G-YAN
Fabricant:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N°. du fabricant:
     YJL2301G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: -15V
Courant du drain: -1,6A
Résistance en état de conduction: 0,18Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 0,7W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 3,9nC
La technologie: TRENCH POWER LV
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±10V
Courant du drain dans l'impulsion: -8A
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