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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolaire; -30V; -3,2A


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Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-YJL3407AL-YAN
Fabricant:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N°. du fabricant:
     YJL3407AL
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: -30V
Courant du drain: -3,2A
Résistance en état de conduction: 68mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 6,8nC
La technologie: TRENCH POWER LV
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -15A
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