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€ 0,172*
par Pièce |
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Diode traversante Vishay, 1A, 200V, DO-204AL (1 offre) Redresseurs à récupération rapide 1 A, Vishay Semiconductor. Diodes de puissance polyvalentes à récupération rapide et très efficaces dans des formats de boîtier standard. Bas profil avec hauteur d... |
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€ 0,201*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 500mA, 200V, To-252GE, 3 broches (2 résultats de recherche) Courant direct maximum = 500mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RFN5BGE2STL |
€ 0,478*
par Pièce |
| 96% |
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Fagor Electronica FS1JW TRTB |
€ 0,0465*
par Pièce |
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€ 0,0168*
par Pièce |
| 96% |
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WeEn Semiconductors BYW29E-150,127 |
€ 0,83*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 500mA, 600V, To-252GE, 3 broches (2 résultats de recherche) Courant direct maximum = 500mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RFN5BGE6STL |
€ 0,552*
par Pièce |
| 96% |
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€ 0,0686*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 1A, 600V, TO-252, 3 broches (1 offre) Courant direct maximum = 1A Type de montage = CMS Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = TO-252 Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RFV5BGE6STL |
€ 1,215*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 1A, 600V, TO-252, 3 broches (1 offre) Courant direct maximum = 1A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = TO-252 Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL |
€ 1,278*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 800mA, 600V, To-252GE, 3 broches (1 offre) Courant direct maximum = 800mA Type de montage = CMS Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RFV8BGE6STL |
€ 1,704*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 1A, 600V, TO-252, 3 broches (2 résultats de recherche) Configuration de diode = SimpleA Type de montage = CMS Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = TO-252 Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL |
€ 0,562*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 300mA, 200V, To-252GE, 3 broches (1 offre) Courant direct maximum = 300mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RFN3BGE2STL |
€ 1,076*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 300mA, 600V, To-252GE, 3 broches (1 offre) Courant direct maximum = 300mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RF305BGE6STL |
€ 1,144*
par Pièce |
| 96% |
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Diode, 300mA, 600V, To-252GE, 3 broches (1 offre) Configuration de diode = SimplemA Type de montage = CMS Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3 |
ROHM Semiconductor RF305BGE6STL |
€ 0,464*
par Pièce |
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