MOSFET Microchip canal N, TO-92 310 mA 60 V, 3 broches

Transistor MOSFET Microchip TechnologyLe transistor MOSFET canal N à montage traversant de Microchip Technology est un nouveau produit dâge avec une résistance de drain-source de 5 ohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté dune tension source de drain de 60 V et dune tension source de grille maximale de 30 V. Il est doté dun courant de drain continu de 310 mA et dune dissipation de puissance maximale de 1 W. La tension dentraînement minimum et maximum pour ce transistor est de 5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET est un transistor à mode denrichissement (normalement désactivé) qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de grille en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance dentrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique significative de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt de lemballement thermique et de la rupture secondaire causée thermiquement. Ce transistor FET DMOS vertical a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi quune longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.Caractéristiques et avantagesFacilité de mise en parallèle • Excellente stabilité thermique • Sans coupure secondaire Impédance dentrée élevée et gain élevé • Diode de drain de source intégrée Faible CISS et vitesses de commutation rapides • Faible consommation dénergie requise Les plages de températures dutilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.Applications• Amplificateurs • Convertisseurs Drivers (relais, marteaux, solénoïdes, lampes, mémoires, affichages, transistors bipolaires, etc.) Commandes de moteur • Circuits dalimentation • CommutateursCertificationsANSI/ESD S20.20:2014 BS EN 61340-5-1:2007 JEDEC