Mémoire FRAM, CY15B104Q-LHXI, 4Mbit, 512 ko x 8, Série-SPI, DFN, 8 broches, 3,6 V

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 Mbits est logique Organisé en 512 K x 8 Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014) Conservation des données de 151 ans NODELAY ® écrit Processus ferroélectrique Advanced haute Interface de périphérique série (SPI) très rapide Fréquence jusquà 40 MHz Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et lEEPROM Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1) Schéma de protection en écriture sophistiqué Protection matérielle à laide de la broche Write Protect (WP) Protection logicielle à laide de linstruction Write Disable Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice ID du dispositif ID du fabricant et ID du produit Faible consommation électrique Courant actif de 300 à 1 MHz Courant de veille de 100 A (typ) Courant de mode veille 3⁄A (typ) Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V. Température industrielle : -40 à +85 °C. Boîtiers Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches Boîtier sans fil plat double fin 8 broches (TDFN)