Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1949072 N°. du fabricant:
CY14B104LA-ZS25XI EAN/GTIN:
5059045330035 |
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| Le Cypress CY14B104LA/CY14B104NA est une mémoire RAM statique (SRAM) rapide, avec un élément non volatile dans chaque cellule de mémoire. La mémoire est organisée en 512 ko de 8 bits chacun ou 256 ko de 16 bits chacun. Les éléments non volatiles intégrés intègrent la technologie QuantumTrap, produisant une mémoire non volatile fiable. La SRAM fournit des cycles de lecture et décriture infinis, tandis que les données non volatiles indépendantes se trouvent dans la cellule QuantumTrap extrêmement fiable. Les transferts de données de la SRAM vers les éléments non volatiles (opération STORE) se produisent automatiquement à la mise hors tension. A la mise sous tension, les données sont rétablies à la SRAM (opération RECALL) à partir de la mémoire non volatile. Les opérations STORE et RECALL sont également disponibles sous contrôle logiciel. Plus d'informations: | | Taille mémoire: | 4Mbit | Configuration: | 512K x 8 bits | Type d'interface: | Parallèle | Largeur de bus de données: | 8bit | Temps d'accès aléatoire maximum: | 45ns | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | TSOP | Nombre de broches: | 44 | Dimensions: | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | Longueur: | 18.51mm | Largeur: | 10.26mm | Hauteur: | 1.04mm | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,6 V | Température d'utilisation maximum: | +85 °C | Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: | 2,7 V |
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| Autres mots de recherche: 1949072, Semi-conducteurs, Mémoires, NVRAM, Infineon, CY14B104LAZS25XI |
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