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Module IGBT, NXH100B120H3Q0PG, , 61 A, 1200 V, Broches à pression 180 BF (sans plomb et sans demi) de boîtier


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-2456962
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     NXH100B120H3Q0PG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Courant continu de Collecteur maximum = 61 A
Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V
Tension Grille Emetteur maximum = ±20V
Dissipation de puissance maximum = 186 W
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
61 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
186 W
Nombre de transistors:
2
Type de boîtier:
Broches à pression 180 BF (sans plomb et sans demi) de boîtier
Autres mots de recherche: Boîtier pour connecteur à broches, Boîtier à broches, Boîtiers à broches, boîtier pour connecteur à broches, 2456962, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, onsemi, NXH100B120H3Q0PG
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Unité
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