Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8115197 N°. du fabricant:
IS61WV6416DBLL-10TLI EAN/GTIN:
5059045531753 |
| | Mots de recherche: SRAM |
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| RAM statique, ISSI. Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaver ;sup>TM ;/sup>. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.. Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP Choix de configuration disponibles : x8 et x16 Fonction EEC disponible pour SRAM asynchrone haute vitesse Plus d'informations: | | Taille mémoire: | 1Mbit | Configuration: | 64 k x 16 bits | Nombre de mots: | 64k | Nombre de bits par mot: | 16bit | Temps d'accès aléatoire maximum: | 10ns | Largeur de bus d'adresse: | 16bit | Faible consommation: | Oui | Type de timing: | Asynchrone | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | TSOP | Nombre de broches: | 44 | Dimensions: | 18.54 x 10.29 x 1.05mm | Hauteur: | 1.05mm | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,6 V | Longueur: | 18.54mm |
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| Autres mots de recherche: 8115197, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires SRAM, ISSI, IS61WV6416DBLL10TLI |
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