Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8647913 N°. du fabricant:
FCPF190N60 EAN/GTIN:
5059042670684 |
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| Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité. En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 20 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | TO-220F | Série: | SuperFET II | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 170 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 2.5V | Dissipation de puissance maximum: | 39 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 10.36mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 8647913, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FCPF190N60 |
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