DIODES INC. ZXMN6A11DN8TA TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 60V SO8

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Courant de drain continu Id, Canal P - Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 3.2 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.18 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Dissipation de puissance Canal P 2.1 W Dissipation de puissance, Canal P - Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)