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INFINEON IMBG120R090M1HXTMA1 MOSFET SIC, SIMPLE, CAN-N, 1.2KV, 26A

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N° du produit:
7014-3582464

Fabricant:
Infineon

N°. du fabricant:
IMBG120R090M1HXTMA1

EAN/GTIN:
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Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.09 ohm Gamme de produit CoolSiC MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 26 A Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 1.2 kV Dissipation de puissance 136 W Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC No SVHC (27-Jun-2018)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC)

Autres mots de recherche: (SiC), Carbide, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Silicon, Transistors, INFINEON, IMBG120R090M1HXTMA1, 3582464, 358-2464

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