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INFINEON S80KS2563GABHM020 DRAM, AEC-Q100, 256MBIT, -40 A 125°C


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3935562
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     S80KS2563GABHM020
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Circuits
DRAM
intégrés
Mémoires
Tension d'alimentation nominale 1.8 V Type DRAM HyperRAM Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 24 Broche(s) Densité de mémoire 256 Mbit IC Boîtier/Paquet FBGA Température de fonctionnement max.. 125 °C Montage CI Montage en surface Configuration mémoire 32M x 8 bits Température d'utilisation min -40 °C SVHC No SVHC (27-Jun-2018) Fréquence, horloge max.. 200 MHz
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