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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-B2M065120Z
Fabricant:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     B2M065120Z
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Boîtier: TO247-4
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 33A
Résistance en état de conduction: 65mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 250W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 60nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -4...18V
Courant du drain dans l'impulsion: 85A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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