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Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
N° du produit:
     8DJEB-BGH50N65HS1
Fabricant:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     BGH50N65HS1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 650V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 50A
Courant du collecteur d'impulsion: 200A
Temps de connection: 54ns
Temps d'extinction: 256ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 357W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 308nC
La technologie: Trench;Field Stop;SiC SBD
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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