Informations sur les produits |  |
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| N° du produit: 8DJEB-LAA110 N°. du fabricant: LAA110 EAN/GTIN: Pas d'information |
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 | Fabricant: IXYS Montage: THT Température de travail: -40...85°C Boîtier: DIP8 Résistance en état de conduction: 35Ω Temps de connection: 3ms Temps d'extinction: 3ms Dimension extérieures: 9,65x6,35x3,3mm Genre de sortie: MOSFET Tension d'isolement: 3,75kV Configuration des contacts: SPST-NO x2 Courant de service maxi.: 120mA Type de relais: semiconducteur Version de relais: 1-phasé;à courrant constant Tension de commutation: max. 350V DC;max. 350V AC Courant de commande max.: 50mA Série du fabricant: OptoMOS |
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 | Autres mots de recherche: Interrupteur DIP, Interrupteurs DIP, Commutateur DIP, Commutateurs DIP, Relais statiques, Relais statique, Relais semi-conducteur, Relais semi-conducteurs, Relais semiconducteur, Relais semiconducteurs, MOSFET, Relais MOSFET, Relais asymétrique, Relais asymétriques, Relais de tension monophasé, Relais de tension monophasés, Relais de surveillance réseau, Relais surveillance réseau, Relais de tension, Relais surveillance tension, Relais de surveillance de sous-tension, Relais de contrôle de sous-tension, Relais de surveillance de sous tension, Relais de contrôle de sous tension, Relais de sous-tension, Relais de sous tension, Relais de surveillance de sur-tension, Relais de surveillance de sur tension, Relais de contrôle de sur-tension, Relais de contrôle de sur tension, Relais de sur-tension, Relais de surveillance sur-tension, Optocoupleur, Photocoupleur, Optocoupleurs, Photocoupleurs, Relais Photo-MOS, Relais PhotoMOS, Relais de télécommunication, Relais de télécommunications, relais mosfet |
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