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Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P
Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P
N° du produit:
     8DJEB-NTE3323
Fabricant:
     NTE Electronics
N°. du fabricant:
     NTE3323
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: NTE Electronics
Montage: THT
Boîtier: TO3P
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 25A
Courant du collecteur d'impulsion: 50A
Temps de connection: 0,4µs
Temps d'extinction: 0,8µs
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 200W
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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