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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-S2M0025120D-SMC
Fabricant:
     SMC DIODE SOLUTIONS
N°. du fabricant:
     S2M0025120D
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: SMC DIODE SOLUTIONS
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 39A
Résistance en état de conduction: 41mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 517W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 130nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -5...20V
Courant du drain dans l'impulsion: 250A
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance
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