MOSFET  (25 095 produits)

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.3 ohm Gamme de produit XP222P0801xx-G MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Ty...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de dra...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.15 ohm Gamme de produit XP223N1001xx-G MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface T...

Canal N STripFET™, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 13...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit XP224N0601xx-G MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface T...

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.12 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 15...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.07 ohm Gamme de produit XP225N2001xx-G MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface T...

Transistor MOSFET à canal-N, série TK1x, Toshiba

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 3 ohm Gamme de produit XP231N0201xx-G MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type...

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics. Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent ...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.17 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 17...

Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'effi...