MOSFET  (25 061 produits)

Fabricant: SHINDENGEN Montage: THT Boîtier: FTO-220AG (SC91) Tension drain-source: 280V Courant du drain: 8A Résistance en état de conduction: 0,5Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipa...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0066 ohm Gamme de produit Série HiPerFET Classe X3 MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type ...

Courant de sortie = 6,5 A Tension d'alimentation = 22V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = SOICns

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1 ohm Gamme de produit PolarP Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal P Courant de drain Id ...

Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 5.5V Nombre de broches = 16 Type de boîtier = SOIC Topologie = Commande de grille isolée Nombre de drivers = 2

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.024 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drai...

Fabricant: SHINDENGEN Montage: THT Boîtier: FTO-220AG (SC91) Tension drain-source: 500V Courant du drain: 10A Résistance en état de conduction: 0,75Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissi...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 14...

Fabricant: SHINDENGEN Montage: THT Boîtier: FTO-220AG (SC91) Tension drain-source: 500V Courant du drain: 15A Résistance en état de conduction: 0,5Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissip...

Tension de test Rds(on) 0 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 21 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de ...

Courant de sortie = 6,5 A Tension d'alimentation = 22V Nombre de broches = 8 Temps de descente = 13ns

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0057 ohm Gamme de produit Trench Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drai...

Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO264 Temps d'attente: 140ns Tension drain-source: 150V Courant du drain: 240A Résistance en état de conduction: 5,2mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance d...

Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 5.5V Nombre de broches = 16 Type de boîtier = SOIC Topologie = Commande de grille isolée Nombre de drivers = 2

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 40 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain...