IXYS SEMICONDUCTOR IXTP14N60X2 MOSFET, CANAL N, 600V, 14A, TO-220

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 14 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220 Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 180 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC No SVHC (12-Jan-2017)