Transistor de puissance  (30 782 produits)

Modules IGBT, Infineon. La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz. Les IGBT s'étendent sur une gamme ...

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.107 ohm Gamme de produit CoolSiC M1 Trench Series MSL - Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type d...

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

Gamme de produit TRENCHSTOP 5 MSL - Tension Collecteur Emetteur Max 650 V Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-247 Tension de saturation Emetteur Collecteur 1...

Transistor MOSFET à canal P, 100 à 450 V, Diodes Inc

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.26 ohm Gamme de produit CoolSiC M1 Trench Series MSL - Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de...

Module de processus Alpha XL. Puissance ALPHA-XL ALPHA en grand format Le nouvel ALPHA XL est à sa place là où série ALPHA existante a atteint ses limites. Renforcé par des nouvelles caractéristiqu...

Gamme de produit TRENCHSTOP IGBT6 MSL MSL 1 - Illimité Tension Collecteur Emetteur Max 650 V Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Température de fonctionnement max.. 175 °C Tension de satura...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en s...

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.014 ohm Gamme de produit Série CoolSiC Trench Nombre de broches 3 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Ca...

Modules IGBT, Infineon. La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz. Les IGBT s'étendent sur une gamme ...

Gamme de produit TRENCHSTOP 5 MSL - Tension Collecteur Emetteur Max 650 V Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-220 Tension de saturation Emetteur Collecteur 1...

Transistor MOSFET à canal P, 100 à 450 V, Diodes Inc

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.03 ohm Gamme de produit CoolSiC Nombre de broches 3 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant ...