Transistor de puissance  (30 782 produits)

Gamme de produit IHM-B Tension Collecteur Emetteur Max 3.3 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 1 kA Borne IGBT Languette Te...

Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.189 ohm Gamme de produit CoolSiC Trench Series MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET S...

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 3.3 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 1.2 kA Borne IGBT Languette Tens...

Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc

Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.35 ohm Gamme de produit CoolSiC MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant de drain...

Modules IGBT, Infineon. La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz. Les IGBT s'étendent sur une gamme ...

Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.039 ohm Gamme de produit CoolSiC M1 Trench Series MSL - Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type d...

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

Gamme de produit TRENCHSTOP IGBT6 MSL MSL 1 - Illimité Tension Collecteur Emetteur Max 650 V Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension de satura...

Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.072 ohm Gamme de produit CoolSiC M1 Trench Series MSL - Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type d...