vishay  (54 913 produits)

Courant direct maximum = 1A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = SMF (DO-219AB) Nombre de broches = 2

Dissipation de puissance crête (en impulsion) 6.6 kW Gamme de produit PAR Tension Standoff inverse 15 V Tension de maintien Max 24.4 V Polarité TVS Unidirectionelle Nombre de broches 2 Broche(s) Te...

Type de direction = Bidirectionnel Tension de pincement maximum = 56V Tension de claquage = 36V Type de montage = CMS Type de boîtier = SOT-23 Nombre de broches = 3 Dissipation de puissance crête d...

Type de direction = Unidirectionnel Tension de pincement maximum = 11.5V Tension de claquage = 6.85V Type de montage = CMS Type de boîtier = SOT-363 Nombre de broches = 6 Dissipation de puissance c...

Dissipation de puissance crête (en impulsion) 6.6 kW Gamme de produit PAR Tension Standoff inverse 17 V Tension de maintien Max 27.6 V Polarité TVS Unidirectionelle Nombre de broches 2 Broche(s) Te...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.012 ohm Gamme de produit TrenchFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type d...

Courant direct maximum = 1A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 400V Type de boîtier = SMF (DO-219AB) Nombre de broches = 2

Dissipation de puissance crête (en impulsion) 6.6 kW Gamme de produit PAR Tension Standoff inverse 28 V Tension de maintien Max 45.4 V Polarité TVS Unidirectionelle Nombre de broches 2 Broche(s) Te...

Configuration de diode = Réseau Tension de pincement maximum = 48V Tension de claquage = 27.6V Type de montage = CMS Type de boîtier = SOT-363 Nombre de broches = 6 Dissipation de puissance crête d...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.07 ohm Gamme de produit TrenchFET Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Couran...

Fabricant: VISHAY Montage: THT Boîtier: SOD57 Tension inverse max.: 1kV Tension de conduction max.: 1,1V Courant de conduction: 2A Construction de semi-conducteur: diode simple Temps d'attente: 300...

Dissipation de puissance crête (en impulsion) 6.6 kW Gamme de produit PAR Tension Standoff inverse 30 V Tension de maintien Max 48.4 V Polarité TVS Unidirectionelle Nombre de broches 2 Broche(s) Te...

Longueur d'onde crête = 945nm Type de boîtier = CMS Flux rayonnant = 1450mW Intensité de rayonnement = 360mW/sr Type de montage = Montage en surface Série = VSMA

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 30 A Gamme de produit TrenchFET Series Nombre de broches 4 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de dr...

Fabricant: VISHAY Montage: THT Boîtier: TO247AD-3 Tension inverse max.: 200V Tension de conduction max.: 1,15V Courant de conduction: 15A x2 Construction de semi-conducteur: catode commune;double T...