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Produit
Module IGBT, FF200R12KE3HOSA1, , 295 A, 1200 V, Module 62MM, 7 broches, Série
Quantité:
Pièce
Informations sur les produits
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N° du produit:
1295E-1248789
Fabricant:
Infineon
N°. du fabricant:
FF200R12KE3
EAN/GTIN:
5059043809083
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Modules IGBT, Infineon. La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz. Les IGBT s'étendent sur une gamme de modules d'alimentation tels que les boîtiers ECONOPACK avec émetteur collecteur à 1 200 V, modules Chopper IGBT demi-pont PrimePACK avec NTC jusqu'à 1 600 / 1 700V. Les IGBT PrimePACK peuvent se trouver dans les véhicules industriels, commerciaux, de construction et agricoles. Le canal N ;sup>TM ;/sup> TRENCHSTOP et les modules IGBT Fieldstop sont adaptés aux applications de commutation immédiate et de commutation progressive telles que les inverseurs, les onduleurs et les variateurs industriels.. Les styles de boîtier incluent : modules 62 mm, EasyPack ECONOPACK ;sup>TM ;/sup>2/ECONOPACK ;sup>TM ;/sup>3/ECONOPACK ;sup>TM ;/sup>4
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
295 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
1 050 W
Configuration:
Série
Type de boîtier:
Module 62MM
Type de montage:
Montage panneau
Type de canal:
N
Nombre de broches:
7
Vitesse de découpage:
1MHz
Configuration du transistor:
Série
Dimensions:
106.4 x 61.4 x 29mm
Température d'utilisation maximum:
+125 °C
Température de fonctionnement minimum:
-40 °C
... >
Semi-conducteurs
>
Composants discrets
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IGBT
Autres mots de recherche:
Transistors
,
Transistor
,
transistor de puissance
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1248789
,
Semi-conducteurs
,
Composants discrets
,
IGBT
,
Infineon
,
FF200R12KE3
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