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INFINEON FF200R12KE3HOSA1 MODULE IGBT CANAL N 1.2KV 295A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2726122
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     FF200R12KE3HOSA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 125 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 295 A Borne IGBT Goujon Tension de saturation Emetteur Collecteur 1.7 V Dissipation de puissance 1.05 kW SVHC No SVHC (23-Jan-2024) Technologie IGBT IGBT 3 [Trench/Field Stop] Montage transistor Panneau Configuration IGBT Double
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, transistors de puissance, Composants, discrets, IGBT, IGBTs, Modules, Semiconducteurs, INFINEON, FF200R12KE3HOSA1, 2726122, 272-6122
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Période:Dans les 21 jours
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État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
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