Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1464378 N°. du fabricant: IXFT60N65X2HV EAN/GTIN: 5059041642132 |
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| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 60 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = HiperFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 52 mΩ Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 5V Tension de seuil minimale de la grille = 3.5V Dissipation de puissance maximum = 780 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = ±30 V Largeur = 15.15mm Hauteur = 5.1mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 60 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | TO-268HV | Série: | HiperFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 52 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3.5V | Dissipation de puissance maximum: | 780 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±30 V | Longueur: | 16.05mm |
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| Autres mots de recherche: 1464378, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFT60N65X2HV |
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