Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1464396 N°. du fabricant:
IXFN110N85X EAN/GTIN:
5059041643306 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 110 A
Tension Drain Source maximum = 850 V
Série = HiperFET
Type de montage = Montage à visser
Nombre de broches = 4
Résistance Drain Source maximum = 33 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 5.5V
Tension de seuil minimale de la grille = 3.5V
Dissipation de puissance maximum = 1,17 kW
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±30 V
Largeur = 25.07mm
Hauteur = 9.6mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 110 A | Tension Drain Source maximum: | 850 V | Type de boîtier: | SOT-227 | Série: | HiperFET | Type de montage: | Montage à visser | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 33 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3.5V | Dissipation de puissance maximum: | 1,17 kW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±30 V | Longueur: | 38.23mm |
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| Autres mots de recherche: 1464396, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFN110N85X |
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