Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1464405 N°. du fabricant:
IXFN170N65X2 EAN/GTIN:
5059041642668 |
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| RDS(ON) et Qg faibles Diode intégrée rapide Robustesse de dv/dt Résistance aux avalanches Boîtier à faible inductance Boîtiers standard internationaux Alimentations à mode de résonance Ballaste de lampe à décharge haute intensité (HID) Commandes de moteur c.a. et c.c. Convertisseurs c.c.-c.c. Robotique et commande servo Chargeurs de batterie Inverseurs solaires à 3 étages Eclairage LED Drones Rendement plus élevé Puissance élevée et encombrement réduit. Facile à monter. Gain de place Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 170 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | SOT-227 | Série: | HiperFET | Type de montage: | Montage à visser | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 13 MΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3.5V | Dissipation de puissance maximum: | 1,17 kW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±30 V | Longueur: | 38.23mm |
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| Autres mots de recherche: 1464405, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFN170N65X2 |
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