Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1684494 N°. du fabricant:
IXFN60N80P EAN/GTIN:
5059041341592 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 53 A | Tension Drain Source maximum: | 800 V | Type de boîtier: | SOT-227 | Série: | HiperFET, Polar | Type de montage: | Montage à visser | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 140 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Dissipation de puissance maximum: | 1,04 kW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 38.23mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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