Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1684575 N°. du fabricant:
IXFL100N50P EAN/GTIN:
5059041336147 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET PolarHV. Une gamme de transistors MOSFET de puissance à mode d'enrichissement à canal N, série IXYS PolarHV™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 70 A | Tension Drain Source maximum: | 500 V | Type de boîtier: | ISOPLUS264 | Série: | PolarHVTM HiPerFET | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 52 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3V | Dissipation de puissance maximum: | 625 W | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 20.29mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1684575, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFL100N50P |
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