Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1684726 N°. du fabricant:
IXFB110N60P3 EAN/GTIN:
5059041360470 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™. Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 110 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | PLUS264 | Série: | HiperFET, Polar3 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 56 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Dissipation de puissance maximum: | 1,89 kW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 20.29mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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