Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-1684759 N°. du fabricant:
IXFN80N60P3 EAN/GTIN:
5059041336079 |
| |
|
| | |
| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™. Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 66 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | SOT-227 | Série: | HiperFET, Polar3 | Type de montage: | Montage à visser | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 70 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Dissipation de puissance maximum: | 960 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 38.23mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 1684759, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFN80N60P3 |
| | |
| |