MOSFET IXYS canal N, TO-264P 100 A 650 V, 3 broches

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ X2. La série HiPerFET X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque haute vitesse améliorée et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage. Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille) Diode de redressement intrinsèque rapide Grille à faible résistance intrinsèque Boîtier à faible inductance Boîtier standard