MOSFET IXYS canal N, SOT-227 36 A 1 000 V, 4 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-193795

Fabricant:
IXYS

N°. du fabricant:
IXFN36N100

EAN/GTIN:
5059041195195

Mots de recherche:

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	36 A
Tension Drain Source maximum:	1 000 V
Type de boîtier:	SOT-227
Série:	HiperFET
Type de montage:	Montage à visser
Nombre de broches:	4
Résistance Drain Source maximum:	240 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:	5V
Dissipation de puissance maximum:	700 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-20 V, +20 V
Longueur:	38.23mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C

Autres mots de recherche: 193795, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFN36N100

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