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MOSFET IXYS canal N, SOT-227 66 A 500 V, 4 broches

Quantité:

Pièce

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-194029

Fabricant:
IXYS

N°. du fabricant:
IXFN80N50P

EAN/GTIN:
5059041204767

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	66 A
Tension Drain Source maximum:	500 V
Type de boîtier:	SOT-227
Série:	HiperFET, Polar
Type de montage:	Montage à visser
Nombre de broches:	4
Résistance Drain Source maximum:	65 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:	5V
Dissipation de puissance maximum:	700 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-30 V, +30 V
Longueur:	38.2mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Autres mots de recherche: 194029, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFN80N50P

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Quantité	HT	TTC	Unité

1 Pièce	€ 40,32*	€ 48,384	par Pièce
à partir de 2 Pièces	€ 38,02*	€ 45,624	par Pièce
à partir de 5 Pièces	€ 30,37*	€ 36,444	par Pièce
à partir de 10 Pièces	€ 29,99*	€ 35,988	par Pièce
à partir de 20 Pièces	€ 29,05*	€ 34,86	par Pièce
à partir de 3000 Pièces	€ 24,91*	€ 29,892	par Pièce