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MOSFET IXYS canal N, SOT-227 24 A 1 000 V, 4 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-194091
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFN24N100
EAN/GTIN:
     5059041484824
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
24 A
Tension Drain Source maximum:
1 000 V
Type de boîtier:
SOT-227
Série:
HiperFET
Type de montage:
Montage à visser
Nombre de broches:
4
Résistance Drain Source maximum:
390 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
5.5V
Dissipation de puissance maximum:
568 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-20 V, +20 V
Longueur:
38.23mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: 194091, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFN24N100
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