Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8011370 N°. du fabricant:
IXFB82N60Q3 EAN/GTIN:
5059041636841 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3. Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage. Diode de redressement intrinsèque rapide Faible RDS(on) et QG (charge de grille) Grille à faible résistance intrinsèque Boîtier standard Boîtier à faible inductance Puissance élevée et encombrement réduit. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 82 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | PLUS264 | Série: | HiperFET, Q3-Class | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 75 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 6.5V | Dissipation de puissance maximum: | 1,56 kW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 20.29mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 8011370, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFB82N60Q3 |
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