MOSFET Vishay canal P, TSOP-6 8 A 12 V, 6 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-8123160

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SI3477DV-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040793842

Mots de recherche:

Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Plus d'informations:


Type de canal:	P
Courant continu de Drain maximum:	8 A
Tension Drain Source maximum:	12 V
Type de boîtier:	TSOP-6
Série:	TrenchFET
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	6
Résistance Drain Source maximum:	33 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	0.4V
Dissipation de puissance maximum:	4,2 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-10 V, +10 V
Longueur:	3.1mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C

Autres mots de recherche: transistors de puissance, 8123160, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SI3477DVT1GE3

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à partir de 50 Pièces	€ 0,792*	€ 0,95	par Pièce
à partir de 100 Pièces	€ 0,762*	€ 0,914	par Pièce
à partir de 200 Pièces	€ 0,718*	€ 0,862	par Pièce
à partir de 500 Pièces	€ 0,625*	€ 0,75	par Pièce
à partir de 1000 Pièces	€ 0,538*	€ 0,646	par Pièce
à partir de 2000 Pièces	€ 0,499*	€ 0,599	par Pièce
à partir de 2500000 Pièces	€ 0,439*	€ 0,527	par Pièce
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295

Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.