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VISHAY SI3473DDV-T1-GE3 MOSFET, CANAL P -12V -8A 150ø, 3.6W

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Informations sur les produits

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N° du produit:
7014-2932887

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SI3473DDV-T1-GE3

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0145 ohm Gamme de produit TrenchFET Gen III MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 8 A Type de boîtier de transistor TSOP Tension Vds max.. 12 V Dissipation de puissance 3.6 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1 V SVHC No SVHC (07-Nov-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SI3473DDV-T1-GE3, 2932887, 293-2887

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