Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-9200717 N°. du fabricant:
IXTP50N20P EAN/GTIN:
5059041032681 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 50 A | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | A-220 | Série: | HiperFET, Polar | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 60 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5.5V | Dissipation de puissance maximum: | 360 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 10.66mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 9200717, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXTP50N20P |
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