Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-9200773 N°. du fabricant:
IXFH26N50P EAN/GTIN:
5059041031806 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 26 A | Tension Drain Source maximum: | 500 V | Type de boîtier: | A-247 | Série: | HiperFET, Polar | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 230 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5.5V | Dissipation de puissance maximum: | 400 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 16.26mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 9200773, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFH26N50P |
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