Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-9200874 N°. du fabricant:
IXFK27N80Q EAN/GTIN:
5059041039260 |
| |
|
| | |
| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 27 A | Tension Drain Source maximum: | 800 V | Type de boîtier: | TO-264AA | Série: | HiperFET, Q-Class | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 320 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4.5V | Dissipation de puissance maximum: | 500 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 19.96mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 9200874, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFK27N80Q |
| | |
| |